As diferenças entre um MOSFET de canal N e um transistor Darlington

Escrito por david sandoval | Traduzido por luana ribeiro
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As diferenças entre um MOSFET de canal N e um transistor Darlington
Um transistor de junção bipolar opera de maneira diferente se comparado a um transistor de efeito de campo (Hemera Technologies/PhotoObjects.net/Getty Images)

Um transistor geralmente é utilizado como componente ativo em amplificadores e chaveadores de alta velocidade. Apesar da aparência externa de quaisquer dois transistores dados serem semelhantes, nem todos eles utilizam o mesmo circuito interno. Como exemplo, se comparado a um MOSFET, um transistor de junção bipolar que é projetado para a utilização em um par Darlington se comportará de forma diferente quando uma tensão é aplicada nele.

Transistores de efeito de campo

Transistores são disponibilizados em dois tipos principais: transistores de efeito de campo e os de junção bipolar. Um transistor de efeito de campo é um dispositivo controlado pela tensão; sendo que ele utiliza a tensão aplicada na comporta para criar um campo elétrico. Esse campo controla o fluxo de corrente através do resto do transistor.

Transistores de junção bipolar

Um transistor de junção bipolar é um dispositivo controlado pela corrente. Quando um diferencial de voltagem é aplicado entre os terminais base e emissor, uma corrente começa a fluir entre eles. Ela possibilita que o transistor passe corrente através de seus outros terminais.

Transistores de junção bipolar em pares Darlington

Um "par Darlington" é um circuito eletrônico que é utilizado para amplificar um sinal CA. Quando dois transistores de junção bipolar são conectados em um circuito de par Darlington, o ganho do sinal é igual ao ganho do primeiro transistor multiplicado pelo ganho do segundo. Caso cada transistor seja capaz de amplificar um sinal em 100 vezes a tensão de entrada, o par Darlington pode amplificar a tensão de entrada em até 10.000 vezes. Em termos práticos, o ganho em voltagem nunca excederá o máximo limite de tensão de cada transistor individual; para pequenos sinais AC, no entanto, um circuito de par Darlington pode aumentar muito o tamanho do sinal. Transistores de junção bipolar projetados para o propósito específico de criar um par Darlington geralmente são chamados de "transistores Darlington".

MOSFET de canal N

Um MOSFET é um tipo especial de transistor de efeito de campo que é construído utilizando um isolante de óxido de silício entre os terminais da comporta e a região fonte do transistor. Os primeiros MOSFETs utilizavam um terminal metálico para a comporta, que é de onde o MOSFET recebeu esse nome – "metal-oxide semiconductor field-effect transistor" (transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor, em tradução livre), ou MOSFET como abreviação. Vários MOSFETs modernos utilizam um terminal de comporta que é feito de silício policristalino em vez de metal. Um MOSFET de canal N possuir uma região fonte que é dopada com impurezas do tipo N. Essa região é implantada em um substrato do tipo p. Quando uma tensão é aplicada na comporta, o transistor conduz corrente através da região fonte, que possibilita que o transistor seja ligado. Quanto não existe tensão no terminal da comporta, a região para de conduzir corrente, o que faz com que o transistor seja desligado.

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