Especificações do MOSFET IFR510

Escrito por kathryn rateliff barr Google | Traduzido por marina mendes
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Especificações do MOSFET IFR510
Exemplo de circuito eletrônico (Jupiterimages/Photos.com/Getty Images)

O Transistor de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico (do inglês Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou MOSFET) é um transistor com saída de alta voltagem e entrada de alta impedância (baixa corrente de controle) usado em aplicativos variados. O IFR510 é um dos vários FETs disponíveis em modo de reforço do canal N e da porta de sílica.

As taxas máximas absolutas de cada MOSFET são especificações críticas que devem ser entendidas, uma vez que, se qualquer taxa máxima absoluta for excedida, o dispositivo não funcionará.

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Temperatura máxima para soldagem

O calor excessivo pode danificar muitas partes eletrônicas, e é a temperatura máxima de soldagem que define o limite crítico de produção. Superaquecer o MOSFET causa problemas mesmo se não houver voltagem ou corrente elétrica. A temperatura máxima para a soldagem do IRF510 é de 300 ºC por cinco segundos a uma distância de 3 mm.

Voltagem do dreno para a fonte

A voltagem do dreno para a fonte do IRF510 é de 25 ºC ou a temperatura ambiente. Caso se exceda esta voltagem, o canal do dreno para a fonte será sobrecarregado e queimado.

Voltagem do dreno para a porta

Em circunstâncias normais, a voltagem do dreno para a porta controla a quantidade de corrente que passa pelo canal. Exceder a voltagem máxima de 100V do IFR510A pode fazer com que a porta puxe a corrente, transformando o MOSFET em um transistor comum e fazendo com que o processo o queime. A voltagem da porta para a fonte compartilha essa mesma característica.

Corrente de dreno contínua

Se a quantidade de corrente contínua no canal do dreno para a fonte exceder o valor da taxa específica do transistor, o calor gerado pela corrente danificará o dispositivo. A corrente contínua do dreno no IFR510A é de 5,6A a 35 ºC e 4A a 100 ºC. A corrente pulsante de dreno é de 20A.

Dissipação máxima de potência

Exceder a dissipação máxima de potência provoca superaquecimento e danifica o dispositivo. A dissipação máxima de potência do IFR510A é de 33W.

Fator de redução de potência

O fator de redução de potência do IFR510A é de 22W por grau Celsius. Ele descreve como ajustar as outras taxas máximas quando a temperatura aumenta. A temperatura ambiente mais alta significa que o calor gerado durante a operação não se dissipa tão rapidamente. A redução adequada das outras taxas máximas é crucial para um design bem sucedido.

Taxa de energia de avalanche em pulso único

A taxa de energia de avalanche em pulso único do IFR510A é de 63 millijoules. Ela faz com que o chaveamento do MOSFET pare quando há bobina ou um indutor, assim como em designs que mudam o fornecedor de energia. Essa taxa evita que o MOSFET aja como um transistor bipolar, pois mesmo que ele fizesse isso por um momento ele queimaria.

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